GDDR và DDR có nghĩa là gì?
DDR là viết tắt của Double Data Rate và GDDR là viết tắt của Graphics Double Data Rate. Nhưng cần nói rõ, kiến trúc DDR và GDDR không có chung tiêu chuẩn như tốc độ, băng thông,… Chúng ta có thể phân loại chúng thành những công nghệ hoàn toàn khác nhau vì DDR được phát triển cho CPU (và CISC), còn GDDR được phát triển cho đồ họa (và RISC).
Tên đầy đủ GDDR6 SDRAM là viết tắt của Graphics Double Data Rate Type 6, bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ trong đó SDRAM là nền tảng của bộ nhớ được sử dụng trong các máy tính để bàn (DDR4 và DDR5), máy tính xách tay (LPDDR4 và LPDDR5) và các bộ xử lý đồ họa (GDDR6 và cũng như GDDR6x trong các NVIDIA GPU).
GDDR – Bus và băng thông
GDDR khác với DDR chủ yếu ở kích thước và băng thông bus bộ nhớ. GDDR là bộ nhớ được tối ưu hóa cho băng thông được sử dụng bởi các card đồ họa hiện đại như GDDR6 và GDDR6X có trong các GPU consumer cao cấp của NVIDIA như 4090. GPU xử lý các tải công việc tuyến tính và lặp đi lặp lại lớn hơn như tính toán toán học và cung cấp dữ liệu song song; cần có bus bit lớn hơn và băng thông cao hơn để ngăn ngừa tắc nghẽn. Nếu không, các visual asset của chúng ta sẽ không tải hoặc quá trình đào tạo AI phụ thuộc vào dữ liệu sẽ phải chờ các tham số mô hình cập nhật.
DDR – Tốc độ và độ trễ
Bản chất bộ nhớ DDR không chậm hơn nhưng cách đánh đổi khá đơn giản: bộ nhớ DDR ưu tiên độ trễ thấp hơn thay vì băng thông. Mặc dù vẫn có khả năng đạt tốc độ cao nhưng độ trễ thấp hơn của DDR rất quan trọng để thực thi các tác vụ CPU yêu cầu truy cập nhanh vào bộ nhớ như chạy các ứng dụng, quản lý HĐH, thực thi lệnh và hướng dẫn GPU những gì cần tính toán.
DDR5, tiêu chuẩn mới nhất cho bộ nhớ CPU, có tốc độ truyền dữ liệu đạt từ 4800 đến 8400 MT/s (MegaTransfers) thường được ký hiệu sau thông số RAM, ví dụ: DDR5 6400MT/s CL32. Chúng tôi muốn tập trung vào CL – thứ cho chúng tôi biết thời gian của bộ nhớ.
CAS Latency (Column Address Strobe Latency) đề cập đến độ trễ thời gian được đo bằng clock cycles giữa lệnh read được cấp cho bộ nhớ và khi có yêu cầu dữ liệu để truy cập. Đây là một trong những thông số thời gian quan trọng hơn để đo tốc độ và hiệu suất của một mô-đun.
Đối với ví dụ trên, CL32 có nghĩa là mô-đun sẽ mất 32 clock cycles để truy cập dữ liệu sau khi nhận được lệnh. Giá trị CL càng thấp như CL16 và CL15 thường được coi là nhanh hơn và có thể mang lại hiệu suất tốt hơn. Điều đáng chú ý là trong khi các DIMM RAM DDR4 có tùy chọn CAS Latency thấp như là CL16, trong khi DIMM CAS Latency thấp nhất của DDR5 là CL30. Không phải lo lắng! Vì DDR5 có tần số/tốc độ truyền cao hơn nên độ trễ hiệu dụng sẽ lớn hơn một chút.
| Thế hệ DDR | Độ trễ CAS | Tần số | Độ trễ tuyệt đối |
| DDR4 | CL16 | 3200 MT/s | 10ns |
| DDR4 | CL18 | 3600 MT/s | 10ns |
| DDR5 | CL38 | 5200 MT/s | 14.6ns |
| DDR5 | CL40 | 6000 MT/s | 13.3ns |
| DDR5 | CL32 | 6400 MT/s | 10ns |
Thế hệ bộ nhớ tiếp theo
Dưới đây là biểu đồ về các dự án trước đây về xu hướng của công nghệ bộ nhớ vào năm 2020. Có vẻ như DDR5 và GDDR6 đã vượt quá mong đợi về hiệu suất được ngoại suy!
Tính đến thời điểm viết bài, DDR5 vẫn còn khá mới và chúng ta không có lý do gì để tin rằng DDR6 sắp được phát hành. Tuy nhiên, GDDR6 đã tồn tại được khoảng 5 năm và Samsung đã công bố sản phẩm GDDR7 DRAM đầu tiên vào tháng 7 năm 2023 còn với Micron có lẽ sẽ sớm ra mắt vào năm 2024. GDDR7 của Samsung tuyên bố sẽ cung cấp 1.5TB băng thông và 32GBps mỗi pin. Chúng tôi rất muốn biết điều này mang lại điều gì cho GPU hiệu suất cao thế hệ tiếp theo.
Theo exxactcorp
Bài viết liên quan